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Description

 体光电探测器也可以用掺入深能级杂质的方法制成。如掺Au、Hg的Ge探测器,是一种很灵敏的红外探测器。光生载流子是由深能级杂质中心激发的,称为非本征激发。这类探测器大多在很低温度下工作(如液氦温度4.2K)。
    正向结光电子器件
    在正向大偏置下半导体PN结结区附近将注入大量非平衡载流子,利用复合发光效应可制成各种颜色发光二极管。电子仪表上普遍使用的红、绿色半导体指示灯、数码管,就是用GaAsP、GaP、AlGaAs等材料制成的。固态发光管功耗低、体积小、寿命长,已逐步取代真空管。用GaAs制成的发光管,发光效率很高,发射波长约9000埃,属人眼不灵敏的近红外波段,广泛用作光电控制和早期光通信的光源。第一只半导体激光器就是用高掺杂GaAs的PN结制成的,虽然现代半导体激光器已被异质结器件所取代,但基本上仍属正向结结构。
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