Description
光电子器件分类
光电子器件可分为体光电子器件、正反向结光电子器件、异质结和多结光电子器件。
体光电子器件是结构上最简单的一类光电子器件。半导体材料吸收能量大于禁带宽度的入射光子，激发出非平衡电子-空穴对(称为本征激发)。它们在外场下参与导电,产生光电导。如属不均匀的表面激发,则光生载流子在有浓度梯度下的扩散将导致内场的建立，即光生伏电效应。扩散电流受磁场的作用而偏转，产生光磁电效应。依据这些物理效应已经制出各种波段(特别是红外波段)光电探测器，如InSb、HgCdTe光电探测器，在军事上已获得广泛应用。
体光电探测器也可以用掺入深能级杂质的方法制成。如掺Au、Hg的Ge探测器,是一种很灵敏的红外探测器。光生载流子是由深能级杂质中心激发的，称为非本征激发。这类探测器大多在很低温度下工作(如液氦温度4.2K)。
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