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Description

去耦电容的选择不存在与频率的精确对应关系,理论上越大越好,但现实中所有器件都不是理想器件,不论何种电容,ESL、ESR都是必然存在的,于是实际电容的频响曲线明显呈非线性,仅在一定频率区间内基本符合纯电容的理论计算结果,超出一定界限后就与理论值越差越远,超到一定程度后甚至电容将不再是电容了,这个频率称“自谐振频率”,同样材料和制造工艺下,容量越小的电容自谐振频率越高。所以去耦电容的选择除了需大致考虑频率外,还要考虑负载的情况,在一定频率之后还得考虑电容的材料和生产工艺等,在此基础上综合的结果决定去耦电容的容量和种类。

通常数字电路的噪声频率在兆至百兆量级区间,这个区间的噪声采用陶瓷独石介质的0.1uF电容就可取得合适的效果,如果负载较重或噪声较强,可选择更大容量的电容或用多个电容并联,同样容量和电容材料下,小电容并联的效果强于单一大电容,频率越高越明显,高频去耦则需采用大小电容并联的方式分别对付不同频谱的噪声。

    一般去耦电容的容量选取原则:

100M以下轻载:0.1uF,重载或存在较大低频噪声的可加并1-10uF的电容,介质材料选择陶瓷或钽为宜;

100M-1000M:前述+100-1000pF(+10pF),括号内根据频率的高限选择是否需要,小电容的介质选择必须是高频陶瓷,早期则多用云母,

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