Description
光电子器件分类
光电子器件可分为体光电子器件、正反向结光电子器件、异质结和多结光电子器件。
体光电子器件是结构上最简单的一类光电子器件。半导体材料吸收能量大于禁带宽度的入射光子，激发出非平衡电子-空穴对(称为本征激发)。它们在外场下参与导电,产生光电导。如属不均匀的表面激发,则光生载流子在有浓度梯度下的扩散将导致内场的建立，即光生伏电效应。扩散电流受磁场的作用而偏转，产生光磁电效应。依据这些物理效应已经制出各种波段(特别是红外波段)光电探测器，如InSb、HgCdTe光电探测器，在军事上已获得广泛应用。
体光电探测器也可以用掺入深能级杂质的方法制成。如掺Au、Hg的Ge探测器,是一种很灵敏的红外探测器。光生载流子是由深能级杂质中心激发的，称为非本征激发。这类探测器大多在很低温度下工作(如液氦温度4.2K)。
正向结光电子器件
在正向大偏置下半导体PN结结区附近将注入大量非平衡载流子，利用复合发光效应可制成各种颜色发光二极管。电子仪表上普遍使用的红、绿色半导体指示灯、数码管，就是用GaAsP、GaP、AlGaAs等材料制成的。固态发光管功耗低、体积小、寿命长，已逐步取代真空管。用GaAs制成的发光管，发光效率很高,发射波长约9000埃,属人眼不灵敏的近红外波段，广泛用作光电控制和早期光通信的光源。第一只半导体激光器就是用高掺杂GaAs的PN结制成的，虽然现代半导体激光器已被异质结器件所取代，但基本上仍属正向结结构。
Lenze brake; 14.448.06.10; 24vdc
LENZE 190472 USPP 190472
LENZE 33.513E USPP 33513E
LENZE ESV751N04TXB NSFP ESV751N04TXB
Lenze Inverter EMZ9371BC Keypad Operating Panel NIB
Lenze brake; 14.448.10.1.0 48VDC
LENZE 8103.E.4H.12 USPP 8103E4H12
LENZE EMF-2131-IB NSPP EMF2131IB
Lenze DC Motor typ 14 80 06 11 6 24VDC 1480006116
AC TECH LENZE VFD DRIVE 1HP 460V 575V 3 PHASE SF510
LENZE LECOM A/B EVS9321-ES GLOBAL SERVO DRIVE INVERTER
Lenze 8100 AC Inverter Motor Drive 8104-F ART-NR-
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