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光电子器件扮演着重要角色，因此我们对于光电子器件应当具备一定了解。为增进大家对光电子器件的认识，本文将对半导体光电子器件加以介绍。如果你对光电子器件具有兴趣，不妨继续往下阅读哦。

利用半导体光-电子(或电-光子)转换效应制成的各种功能器件。它不同于半导体光器件(如光波导开关、光调制器、光偏转器等)。光器件的设计原理是依据外场对导波光传播方式的改变，它也有别于早期人们袭用的光电器件。后者只是着眼于光能量的接收和转换(如光敏电阻、光电池等)。早期的光电器件只限于被动式的应用，60年代作为相干光载波源的半导体激光器的问世，则使它进入主动式应用阶段，光电子器件组合应用的功能在某些方面(如光通信、光信息处理等)正在扩展电子学难以执行的功能。一门新的分支学科──光电子学正在迅速发展，而光电子器件则构成光电子学的核心部分。

早在19世纪末就已经开始研究半导体硒中的光电现象,后来硒光电池得到应用,这几乎比晶体管的发明早80年，但当时人们对半导体还缺乏了解，进展缓慢。30年代开始的对半导体基本物理特性(如能带结构、电子跃迁过程等)的研究，特别是对半导体光学性质的研究为半导体光电子器件的发展奠定了物理基础。1962年，R.N.霍耳和M.I.内森研制成功注入型半导体激光器，解决了高效率的光信息载波源，扩展了光电子学的应用范围，光电子器件因而得到迅速发展。

基本物理过程

从能带论的观点出发，半导体中电子状态的分布如图1,常温下低能量的带(价带)中的状态基本上为价电子所填充，高能量的带(导带)中的状态则空着，二者之间被宽度为Eg的禁带所隔离。在此情况下半导体的导电特性很差，只有出现在导带中的电子或价带中的空态(空穴)才能在外场驱使下参与导电。